평행판 커패시터의 플레이트에 연결된 소스의 전압은 2V입니다. 커패시터가 유전 상수가 2인 유전체로 절반이 채워지면 전기장의 에너지 변화를 결정해야 합니다. 커패시터에서. 유전체와 공기 사이의 경계는 플레이트에 수직이며, 그 사이의 거리는 d = 1 cm이고, 플레이트의 면적은 S = 50 cm^2입니다.
문제를 해결하려면 다음과 같이 표현되는 플랫 커패시터의 커패시턴스 계산 공식을 사용해야 합니다. C = εS / d, 여기서 C는 커패시터의 커패시턴스, ε은 유전체의 유전 상수입니다. , S는 커패시터 플레이트의 면적, d는 플레이트 사이의 거리입니다.
이 공식을 바탕으로 커패시터가 유전체로 절반만 채워진 경우 커패시터의 커패시턴스를 결정할 수 있습니다. C' = 2εS / d.
커패시터를 유전체로 채울 때 커패시터의 전계 에너지 변화는 다음 공식으로 결정됩니다. ΔW = (1/2)C'U^2 - (1/2)CU^2, 여기서 U는 유전체를 채우기 전에 커패시터의 전압.
알려진 값을 대체하면 다음과 같은 결과를 얻습니다. C' = 2250/1 = 200pF, U = 2V. 그러면 ΔW = (1/2)200(2^2) - (1/2)100(2^2) = 200μJ.
따라서 커패시터를 유전체로 채울 때 커패시터의 전계 에너지 변화는 200μJ입니다.
우리는 "평판 커패시터 플레이트"라는 디지털 제품을 여러분에게 소개합니다.
이 항목에는 전압 소스에 연결된 두 개의 플레이트로 구성된 평행판 커패시터에 대한 자세한 설명이 포함되어 있습니다.
커패시터에는 다음과 같은 특징이 있습니다.
이 제품은 전자공학과 물리학에 관심이 있는 분들은 물론, 전기회로와 콘덴서를 공부하는 학생들에게도 유용할 것입니다.
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본 제품은 2V 전압의 전압원에 연결된 두 개의 판으로 구성된 평행판 콘덴서에 대한 설명입니다. 판 사이의 거리는 1cm, 판의 면적은 50cm²입니다. 설명에는 유전 상수가 2인 유전체와 플레이트에 수직으로 위치한 유전체와 공기 사이의 경계로 커패시터를 절반으로 채울 가능성에 대한 정보도 포함되어 있습니다.
문제를 해결하려면 다음과 같이 표현되는 플랫 커패시터의 커패시턴스 계산 공식을 사용해야 합니다. C = εS / d, 여기서 C는 커패시터의 커패시턴스, ε은 유전체의 유전 상수입니다. , S는 커패시터 플레이트의 면적, d는 플레이트 사이의 거리입니다. 이 공식을 바탕으로 커패시터가 유전체로 절반만 채워진 경우 커패시터의 커패시턴스를 결정할 수 있습니다. C' = 2εS / d.
커패시터를 유전체로 채울 때 커패시터의 전계 에너지 변화는 다음 공식으로 결정됩니다. ΔW = (1/2)C'U^2 - (1/2)CU^2, 여기서 U는 유전체를 채우기 전에 커패시터의 전압.
알려진 값을 대체하면 C' = 2250 / 1 = 200pF, U = 2V가 됩니다. 그런 다음 ΔW = (1/2)200(2^2) - (1/2)100(2^2) = 200μJ .
따라서 커패시터를 유전체로 채울 때 커패시터의 전계 에너지 변화는 200μJ입니다.
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설명의 주제는 EMF가 있는 소스에 플레이트가 연결된 플랫 커패시터입니다. 2V. 커패시터는 유전 상수가 2인 유전체로 절반이 채워져 있습니다. 유전체와 공기 사이의 경계는 플레이트에 수직입니다. 판 사이의 거리는 1 cm이고, 판의 면적은 50 cm^2입니다.
문제를 해결하기 위해서는 커패시터의 전기장 에너지 변화를 결정하는 것이 필요하다. 이를 위해 커패시터의 전기장 에너지에 대한 공식을 사용할 수 있습니다.
W = (1/2)CV^2,
여기서 W는 에너지, C는 커패시터의 커패시턴스, V는 커패시터 양단의 전압입니다.
커패시터의 커패시턴스는 다음 공식에 의해 결정됩니다.
C = εS/d,
여기서 ε은 유전 상수, S는 플레이트의 면적, d는 플레이트 사이의 거리입니다.
첫 번째 단계는 커패시터의 커패시턴스를 결정하는 것입니다. 커패시터는 유전체로 절반만 채워져 있으므로 커패시턴스를 계산할 때 유전 상수를 고려해야 합니다. 따라서 커패시터의 커패시턴스는 다음과 같습니다.
C = εS/(2d) = (228.8510^-125010^-4)/(2110^-2) = 8.8510^-9F.
그런 다음 커패시터 양단의 전압을 결정할 수 있습니다. 소스가 커패시터에 직접 연결되어 있으므로 커패시터 양단의 전압은 EMF와 같습니다. 소스, 즉 2V입니다.
이제 커패시터의 전기장 에너지에 대한 공식을 사용할 수 있습니다.
W = (1/2)CV^2 = (1/2)8.8510^-9*(2)^2 = 8.85*10^-9J.
따라서 플레이트가 EMF가 있는 소스에 연결된 경우 유전 상수가 2인 유전체로 절반이 채워졌을 때 커패시터의 전계 에너지 변화가 발생합니다. 2V는 8.85*10^-9J와 같습니다.
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